為了進一步加強校間學術交流，把握行業發展方向，活躍學術氛圍，推動學科的跨越式發展，2024年4月9日上午77779193永利官网（微電子學院）邀請中車集團功率半導體與集成技術全國重點實驗室副主任劉國友教授以及沙特阿拉伯阿蔔杜拉國王科技大學李曉航教授分别做題為“大功率半導體技術現狀及其進展”、“The fourth wave: ultrawide bandgap semiconductors”的學術報告。此次論壇由微電子學院院長陳長清教授主持，學院相關方向的老師、研究生和本科生參加，會議在行政樓8-201舉行。
劉國友教授報告内容将涵蓋功率半導體技術的演進與應用，突出其在變流技術和支撐“雙碳”戰略中的核心作用。主要聚焦于功率半導體的特點、工業控制與能源交通智能化的依賴，以及襯底材料與器件結構的發展。特别強調矽基大功率半導體技術，包括晶閘管和IGCT（集成門極換流晶閘管）技術的進展和在直流輸電、柔性直流輸電以及軌道牽引變流器等領域的應用。報告還提及新型電力系統中的IGBT（絕緣栅雙極晶體管）技術與高壓、中低壓和一體化散熱解決方案，智能芯片的功能集成，以及面向汽車電動化産品的功率器件解決方案。最後，報告探讨了從矽基到SiC襯底的技術挑戰，包括材料、結構、封裝技術的優化，以及相關的高功率密度應用的可靠性問題。同時，展望自主大功率半導體技術如何促進能源與交通技術創新與産業發展，以及中國在這些領域的發展趨勢。
李曉航教授報告探讨超寬帶隙半導體技術的第四次浪潮及其對全球科技領域的影響。報告突出AlN、Ga2O3、c-BN和金剛石等UWBG半導體在功率和射頻應用上的突破性進展，及其在量子信息技術和深紫外光電子學等尖端領域的應用潛力。這些半導體是繼矽和其他傳統半導體後的新一代選擇，預示着半導體技術的一次重大轉變。并展示最新的相關研究成果，包括柔性Ga2O3器件，能夠實現極低漏電流的混維結構GaN晶體管，無需刻蝕技術的micro-LED像素，以及集成UVC和可見光LED的單芯片解決方案。此外，還包括在矽基底上外延生長的高質量AlN材料，高組分AlGaO材料的烘烤工藝，以及首個實現的疊層寬帶隙CMOS集成電路，這些進展都展示了UWBG半導體在提升設備性能和擴大應用領域方面的巨大潛力。
報告結束後，師生們踴躍發言提問，就報告中的具體問題及行業發展趨勢與劉教授、李教授進行了深入交流。本次學術交流活動為數理學院的師生提供了一次寶貴的學術交流機會，拓展了師生們的視野和思路。
專家簡介：
劉國友博士，正高級工程師，中車科學家，功率半導體與集成技術全國重點實驗室副主任，長期從事功率半導體技術與微電子制造工藝的融合、創新與發展，國務院特殊津貼專家，榮獲 “光召科技獎”、“傑出工程師獎”和“全國創新争先獎”，武漢大學、湖南大學和西南交通大學兼職教授，IEEE、中國電子學會高級會員，國家寬禁帶半導體工程研究中心技術委員會委員，全國半導體器件标準化技術委員會委員，Semi中國化合物半導體标準技術委員會主席。主持功率半導體國家重大科研與産業化項目10餘項，以第一完成人榮獲國家技術發明二等獎1項、主要完成人榮獲國家科技進步1項、中國專利銀獎1項、省部級科技獎勵8項，發表論文100餘篇、參編專著3部，授權國内發明專利124件、PCT發明專利7件，為中國大功率半導體技術追趕、超越與局部領先做出系統性、開創性貢獻。
李曉航博士，沙特阿拉伯阿蔔杜拉國王科技大學電氣與計算機工程與應用物理副教授，創新中心副主任，Nature Photonics及Nature Electronics等期刊審稿人。喬治亞理工學院獲得電氣工程博士學位，并獲得了該學院最高的研究生榮譽愛迪生獎。研究重點是用于下一代電子和光子學的超寬帶隙半導體的前沿研究。他撰寫發表了150多份期刊和200多份會議出版物。他獲得了多個著名獎項，包括美國晶體生長協會頒發的Harold M.Manasevit青年研究員獎、SPIE D. J. Lovell獎學金、IEEE光子研究生獎學金和佐治亞理工大學40歲以下40歲以下青年獎。他的學生獲得了IWN、ICNS和SPIE頒發的最佳學生獎。
